首页 > 教育学习 > 电子电路 > 内容

BJT 晶体管偏置电压计算器

日期:2025-04-06 反馈错误 捐助我们
基极偏压类型:
Volts
基极电阻 (Rb):
K Ohms
输入电压 (Vin):
Volts
集电极电阻 (Rc):
K ohms
发射极电阻 (Re):
K ohms
电源电压 (Vs):
Volts
电流增益:
基极到发射极压降:
Volts
集电极电压 (Vc):
Volts
发射极电压 (Ve):
Volts
基极电压 (Vb):
Volts
集电极电压 (Ic):
mA
基极电压 (Ib):
mA
本工具结果仅供参考!
你的足迹:

工具内容

BJT 晶体管偏置计算器

该计算器将计算在 NPN 双极结晶体管 (BJT) 放大器电路中提供最大输出电压摆幅所需的偏置电阻器的值。 该算法利用交流和直流负载线理论和公式,是您在网上可以找到的最准确的算法之一。 上面的电路是典型的共发射极放大器的电路,在发射结和集电极结处带有电阻。 工程师通常需要计算电阻器R1和R2的值,以便晶体管提供最大的不失真输出。 我在这里使用的算法还会找到工作点 (Q),如果您是手动计算的学生,这会很有用。


Rb = Base Resistance
Vin = Input Voltage
Rc = Collector Resistance
Re = Emitter Resistance
Vs = Supply Voltage
Vc = Collector Voltage
Ve = Emitter Voltage
Vb = Base Voltage
`I_b=[V_i n-Base t o Emitter Drop]/[R_b+Curren t gai n×R_e] `
Ic = Collector gain x Ib
Ve = IC x Re
Vb = Ve x Base to Emitter Drop
Vc = Vs - IC x Rc
If (Vc < Ve) then,
`V_e=[V_s×R_e]/[R_e+R_c] `
Vc = Ve
Vb = Ve + Base to Emitter Drop
`I_c=V_s/[R_e+R_c] `

tags: